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本发明涉及一种具有混合沟道结构的GaN器件及其制备方法，属于半导体器件技术领域，包括衬底层、GaN下沟道层、GaN区、GaN缓冲层、AlGaN势垒层、漏极欧姆金属、源极欧姆金属、栅电极G1和栅电极G2，相比传统HEMT器件，添加一个由源极引...
该专利属于北京微电子技术研究所所有，仅供学习研究参考，未经过北京微电子技术研究所授权不得商用。

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