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本发明公开了一种[CuI(P∧P)N]型杂化半导体发光材料及其制备方法和荧光传感应用。本发明的杂化半导体发光材料结构式为CuI(Xantphos)(2‑NH<subgt;2</subgt;Py)，式中Xantphos为电中性双膦...
该专利属于中国计量大学所有，仅供学习研究参考，未经过中国计量大学授权不得商用。

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