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本发明公开了具有分布布拉格反射镜的Eu掺杂的单晶β‑氧化镓薄膜的制备方法，采用有机金属化学气相沉积技术在衬底上生长GaN缓冲层、n‑GaN/u‑GaN周期性结构，随后在溶液中对n‑GaN/u‑GaN周期性结构进行刻蚀，制备具有纳米多孔GaN...
该专利属于西安工程大学所有，仅供学习研究参考，未经过西安工程大学授权不得商用。

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