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本发明提出了一种同时具有高介电常数、低漏电流和低氧化层电荷密度、 薄界面层的双层栅介质薄膜及其制备方法。它以硅片为基片，其特征在于先用 磁控溅射的技术沉积一层很薄的缓冲层，该缓冲层为Si3N4或HfO2，然后用反 应溅射的方法在其上再沉积一...
该专利属于王浩;汪宝元;王毅;叶葱;冯洁;朱建华所有，仅供学习研究参考，未经过王浩;汪宝元;王毅;叶葱;冯洁;朱建华授权不得商用。

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