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本发明涉及一种具有复合电流阻挡层的增强型超结CAVET器件，属于微电子领域。该器件通过在电流阻挡层内嵌入了InGaN/AlN/InGaN复合电流阻挡层，由靠近源极的InGaN层、AlN层和靠近电流孔径层的InGaN层组成。本发明由于电流阻挡...
该专利属于重庆邮电大学所有，仅供学习研究参考，未经过重庆邮电大学授权不得商用。

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