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本发明涉及晶体材料热处理领域，公开了一种大尺寸硅酸钇镥晶体的原位退火工艺，其特征在于，通过提拉法生长大尺寸硅酸钇镥晶体结束后，硅酸钇镥晶体保持原位，保持晶体炉内真空度，经过六个阶段的退火，当退火温度达到800℃时，对所述晶体炉的炉膛内进行抽...
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