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本申请公开了一种MOCVD所生长β‑Ga<subgt;2</subgt;O<subgt;3</subgt;外延层的预测方法及相关设备，所述方法包括：获取预设生长参数，并将预设生长参数输入经过训练的外延层预测模型，其中...
该专利属于杭州富加镓业科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过杭州富加镓业科技有限公司授权不得商用。

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