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本发明公开了一种通过图形掩膜技术制备低位错密度氮化镓外延片的方法，在硅衬底或硅基氮化镓模板或硅基氮化铝模板上引入周期分布的图形掩膜，随后在图形掩膜窗口处分三步生长氮化镓外延膜。本发明方法能够有效降低硅基氮化镓位错密度，通过在硅衬底或硅基氮化...
该专利属于北京大学所有，仅供学习研究参考，未经过北京大学授权不得商用。

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