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本发明提供了一种4H‑SiC雪崩光电探测器及其制备方法，涉及半导体紫外雪崩光电探测器技术领域。该4H‑SiC雪崩光电探测器中的外延台面结构以所述外延台面结构在<>晶向上的最宽处中垂线为界面，位于所述界面两侧的外延台面结构在<...
该专利属于南京大学所有，仅供学习研究参考，未经过南京大学授权不得商用。

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