温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明提供一种PVT法生长碳化硅晶体的方法及装置，所述方法包括以下步骤：（1）将装有碳化硅原料以及籽晶的坩埚放置于长晶炉内，抽真空；（2）将长晶炉内的压力增加到400~500 mbar，将籽晶处的温度加热至2300℃，将碳化硅原料处的温度加...
该专利属于浙江晶越半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过浙江晶越半导体有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。