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本发明公开一种基于GaN SBD和GaAs PIN两类器件的单片集成限幅器及其制造方法，单片集成限幅器包括衬底，衬底上设有GaN SBD器件和第一键合功能层，第一键合功能层上表面从下到上依次设有第二键合功能层、GaAs PIN器件和微带线，...
该专利属于中国电子科技集团公司第五十五研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国电子科技集团公司第五十五研究所授权不得商用。

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