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本发明涉及一种水系锰离子电池用宽工作电压锰离子预嵌入的VO<subgt;2</subgt;纳米棒制备方法。该VO<subgt;2</subgt;纳米电极材料具有独特隧道型晶体结构，在‑1.3V～1.1V允许锰离子和质...
该专利属于电子科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过电子科技大学授权不得商用。

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