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本发明公开了一种基于三元反应机制的离子敏感场效应晶体管，属于集成电路技术领域，所述离子敏感场效应晶体管，包括体硅衬底、氧化埋层、沟道、源极、漏极、栅氧化介质层、栅极和绝缘层；所述氧化埋层设于体硅衬底上，所述沟道设于氧化埋层的中部；所述源极和...
该专利属于南京邮电大学所有，仅供学习研究参考，未经过南京邮电大学授权不得商用。

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