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本发明涉及低电容电压可编程ＴＶＳ器件及其制造方法，由闩锁通路和限压保护通路构成，在闩锁通路上，ＰＮＰ三极管和ＮＰＮ三极管构成闩锁结构，输入端接ＰＮＰ三极管的发射极，ＰＮＰ三极管的集电极接ＮＰＮ三极管的基极，ＰＮＰ三极管的基极接ＮＰＮ三极管的...
该专利属于上海长园维安微电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海长园维安微电子有限公司授权不得商用。

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