温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明提供一种低位错密度掺硅砷化镓单晶的生长方法，包括：（1）在氢气气氛下加热砷化镓多晶料和硅粉，以使砷化镓多晶料熔融得到含有硅粉的砷化镓多晶熔体并保温；（2）继续在氢气气氛下将含有硅粉的砷化镓多晶熔体沿竖直方向自下而上进行垂直梯度凝固，得...
该专利属于广东先导微电子科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过广东先导微电子科技有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。