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本发明描述了一种功率半导体元件及２种制造该功率半导体元件的方法。该半导体元件带有一个经过第一掺杂的半导体基体和一个ｐｎ结，它是通过一个经过第二掺杂的触点区域与在该基体中形成的掺杂轮廓所构成的。这里第二触点区域处于基体的第二表面上并且延伸扩张...
该专利属于塞米克朗电子有限及两合公司所有，仅供学习研究参考，未经过塞米克朗电子有限及两合公司授权不得商用。

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