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本发明是提供一种功率金属氧化物半导体场效晶体管的结构及其制程方法，其在组件单一记忆单元的源极接点区加入一沟道式电场屏护设计，可达到浅结（ｓｈａｌｌｏｗ？ｊｕｎｃｔｉｏｎ）低导通电阻，此外利用源极接点区下重掺杂区结分布的改变而可保有较佳的雪崩...
该专利属于马克斯半导体股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过马克斯半导体股份有限公司授权不得商用。

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