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本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种光刻剥离方法，该方法包括在基底的一侧依次制备出负胶层和正胶层，制备的过程中分别对负胶层和正胶层进行曝光，然后进行显影、烘烤等处理，得到叠层的光刻胶形貌结构，再进行目标材料层的制备，分步去除剩余的所述第一...
该专利属于深圳大学所有，仅供学习研究参考，未经过深圳大学授权不得商用。

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