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本发明公开了基于神经网络的1200V SiCMOSFET建模优化及性能预测方法，包括以下步骤；步骤1，基于TCAD建立1200V沟槽型SiCMOSFET器件模型；步骤2，基于TCAD仿真建立数据集，获取数据集，将数据集分别划分为训练集，交叉...
该专利属于西安电子科技大学杭州研究院所有，仅供学习研究参考，未经过西安电子科技大学杭州研究院授权不得商用。

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