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本发明涉及半导体材料制作技术领域，特别涉及一种利于PVD生长高质量非掺杂ε‑Ga<subgt;2</subgt;O<subgt;3</subgt;薄膜的装置及方法。其装置包括加热器、夹具、耐高温的弹性件、衬底，加热器...该专利属于哈尔滨工业大学（深圳）（哈尔滨工业大学深圳科技创新研究院）所有，仅供学习研究参考，未经过哈尔滨工业大学（深圳）（哈尔滨工业大学深圳科技创新研究院）授权不得商用。