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一种提高铁基超导体上临界场和临界电流密度的方法技术
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文档序号:4269281
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一种提高A1-xKxFe2As2(A=Ba或Sr)超导体上临界场和临界电流密度的方法,其特征是,在A1-xKxFe2As2(A=Ba或Sr)块材或线带材的先驱粉中添加银粉或铅粉,混合均匀后,将先驱粉压制成块,或填入金属管拉拔轧制成线带材。再...
该专利属于中国科学院电工研究所所有,仅供学习研究参考,未经过中国科学院电工研究所授权不得商用。
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