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一种开关自适应的绝缘栅双极性晶体管及其制造方法,涉及半导体功率器件技术领域,较传统的器件元胞结构引入P‑型注入层来取代部分N型层来形成新的载流子存储层,有效的为导通饱和电压与关断损耗的结构调节提供了新的设计方法。新引入的P‑型载流子存储层在...该专利属于扬州扬杰电子科技股份有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过扬州扬杰电子科技股份有限公司授权不得商用。
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一种开关自适应的绝缘栅双极性晶体管及其制造方法,涉及半导体功率器件技术领域,较传统的器件元胞结构引入P‑型注入层来取代部分N型层来形成新的载流子存储层,有效的为导通饱和电压与关断损耗的结构调节提供了新的设计方法。新引入的P‑型载流子存储层在...