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本发明公开了一种铜互连集成电路的扩散阻挡层及其制备方法，提出新型非晶夹结晶三层结构扩散阻挡层，首先在Si或low‑K衬底上沉积一层非晶态二元合金层，其次在非晶态合金层上沉积结晶态合金层，最后在结晶态合金层上再沉积一层非晶态合金层，进而制备成...
该专利属于化学与精细化工广东省实验室潮州分中心所有，仅供学习研究参考，未经过化学与精细化工广东省实验室潮州分中心授权不得商用。

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