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本发明公开了一种用于SiC单晶生长炉的增强型控温方法和控温系统，先通过测温仪获取坩埚的实时温度T<subgt;PV</subgt;并反馈至控制器，控制器基于实时温度和已知的期望温度通过PID计算得到初步输出值u(t)；控制器基于...
该专利属于重庆原石智能装备有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过重庆原石智能装备有限公司授权不得商用。

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