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本发明公开了一种沟槽型碳化硅器件结构，其包括：衬底上设置有外延层，外延层形成有第一区域，外延层上侧设置有第一体层；第一体层形成有第一源区域、第二源区域，第二源区域位于两个第一源区域之间；第二源区域刻蚀形成有沟槽；沟槽形成有第一屏蔽区域；栅氧...
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