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本发明公开了一种掩膜去除工艺，掩膜层材料为热熔材料，本申请先采用高温烘箱预处理硅片，使大部分热熔材料能够熔化进而回收利用，再用热水超声结合鼓泡处理硅片，去除部分热熔材料，剩余微量热熔材料再使用碱液（BDG和KOH或BDG和NaOH的混合溶液...
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