温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明属于微电子领域，具体为一种增强型氮化镓场效应晶体管及其制备方法。本发明针对能带工程理论设计不同厚度、不同铝组分的刻蚀终止层、快速刻蚀层、势垒顶层，并配合特定波长的光源照射，根据光电化学刻蚀机理的带隙选择性实现光电化学刻蚀的自终止，并最...
该专利属于电子科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过电子科技大学授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。