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本发明提供了一种半导体结构的制造方法，其中，半导体结构的制造方法包括：利用在顶部硅层上先形成覆盖顶部硅层的硬掩膜层和光阻层，在对光阻层进行图案化之后，对图案化光阻层进行硬化处理，然后经由硬化处理后的图案化光阻层刻蚀形成第一沟槽、第二沟槽以及...
该专利属于上海曦智科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海曦智科技有限公司授权不得商用。

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