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本发明提供了一种功率MOS，其特征在于，包括：MOS内封装有N个并联设置的支路；所述N个支路的每一个都设置有一个晶圆和一个键合线，所述键合线包括主体部和熔断处，其中所述N≥2；当外部电路控制所述MOS内的所述N个支路的晶圆从导通状态改变为断...
该专利属于江西赣锋锂电科技股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过江西赣锋锂电科技股份有限公司授权不得商用。

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