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本发明提供一种SON器件及其形成方法，SON器件包括支撑晶圆和顶层晶圆；支撑晶圆上形成有沟槽，且所述沟槽内形成有空洞；顶层晶圆通过硅‑硅直接键合工艺键合于支撑晶圆上，支撑晶圆内的空洞位于顶层晶圆内的晶体管沟道区域下方。支撑晶圆内的空洞能部分...
该专利属于上海华虹宏力半导体制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华虹宏力半导体制造有限公司授权不得商用。

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