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本发明公开一种阻变存储器及其操作方法，属于微电子和集成电路技术领域。本发明通过设计第一电极‑第一阻变层‑中间层‑第二阻变层‑第二电极结构，结合各层材料的特殊设计和操作方法，利用第二阻变层作为串联电阻在第一阻变层的成形(Forming)操作中...
该专利属于北京大学所有，仅供学习研究参考，未经过北京大学授权不得商用。

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