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一种功率半导体器件及其制备方法。所述功率半导体器件包括半导体层、门极引出端和门极网，其中，所述门极引出端和门极网设置于所述半导体层的阴极面上，所述门极网与所述半导体层的接触电阻根据门极网与所述门极引出端的距离远近呈梯度分布，距离所述门极引出...
该专利属于北京怀柔实验室所有，仅供学习研究参考，未经过北京怀柔实验室授权不得商用。

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