温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明公开了一种具有背势垒块的场效应晶体管，涉及半导体技术，针对现有技术中背势垒只适用于限定材料体系的问题而提出本方案。衬底通过离子注入的方式在栅极下方形成背势垒块，所述背势垒块用于耗尽半导体层在对应位置的沟道载流子。其优点在于，背势垒块存...
该专利属于中山大学所有，仅供学习研究参考，未经过中山大学授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。