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本发明涉及了一种低温制备高致密度氮化硼陶瓷材料的方法。以微米片状六方氮化硼粉体为原料，添加少量硼酸水溶液，通过室温压制成型和低温无压烧结，促进片状氮化硼粉末的晶粒结构重排和低温烧结致密化，获得高致密度氮化硼陶瓷(密度≥1.90g/cm3)。...
该专利属于天津理工大学所有，仅供学习研究参考，未经过天津理工大学授权不得商用。

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