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本发明的一种片上波导集成有源器件、制备方法及其应用，选择氮化硅作为波导芯层材料，器件自下而上依次为高掺杂硅衬底、二氧化硅埋氧层、氮化硅微环谐振器、源漏金属电极和范德华异质结硒化钯‑碲化钼层。范德华异质结硒化钯‑碲化钼层覆盖在微环谐振器上方，...
该专利属于国科大杭州高等研究院所有，仅供学习研究参考，未经过国科大杭州高等研究院授权不得商用。

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