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本发明提供一种宽禁带太赫兹肖特基二极管及其制备方法，属于半导体器件技术领域。该肖特基二极管包括依次叠加的衬底、缓冲层、沟道层、势垒层和P型NiO终端。沟道层与势垒层形成异质结，二者界面接触处形成二维电子气。势垒层和沟道层的两侧刻蚀有阳极凹槽...
该专利属于湖北九峰山实验室所有，仅供学习研究参考，未经过湖北九峰山实验室授权不得商用。

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