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本申请实施例提供了一种DRAM Less存储设备实现预读的方法，涉及存储设备技术领域。该预读处理方法包括：响应于待处理命令为预读命令，判断所述预读命令指示的至少一个第一物理地址是否命中第二物理地址；在所述第一物理地址未命中所述第二物理地址的...
该专利属于北京忆芯科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过北京忆芯科技有限公司授权不得商用。

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