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本发明提出了一种产生高流强He<supgt;2+</supgt;离子的ECR离子源的磁体系统，该系统利用原有2.45GHzECR离子源的结构空间，增加了由径向磁场和切向磁场交替布设组成的约束磁场，其特点是：该约束磁场形成的约束区...
该专利属于中国原子能科学研究院所有，仅供学习研究参考，未经过中国原子能科学研究院授权不得商用。

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