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本申请提供一种基于离子注入的PN结形成方法、存储介质和集成电路器件，属于集成电路制造领域。该方法包括：在经过光刻后的硅衬底上确定待掺杂区域和需要掺杂的标准浓度和标准深度；通过质量分析器从杂质源B<subgt;2</subgt;H...
该专利属于天水天光半导体有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过天水天光半导体有限责任公司授权不得商用。

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