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本发明公开了一种全范德华室温自旋发光器件，它包括自下而上依次设置的二维室温铁磁体自旋注入层、第一隧穿势垒层、二维谷极化半导体有源层、第二隧穿势垒层和电极层，其中，在二维室温铁磁体自旋注入层和石墨烯电极层分别设置用于施加电压或电流的导电电极。...
该专利属于武汉城市职业学院所有，仅供学习研究参考，未经过武汉城市职业学院授权不得商用。

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