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本发明公开一种半导体器件及其制造方法。该制造方法包括在纵向晶体管上附加地形成金属字线以获得多层结构，从而通过防止将纵向晶体管的环绕栅极连接起来的镶嵌字线的电阻增加，来防止半导体器件的操作速度降低。因此，可以提高半导体器件的良品率和可靠性。...
该专利属于海力士半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过海力士半导体有限公司授权不得商用。

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