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本发明涉及一种基于原位聚合的元素掺杂双层多孔碳的制备方法，包括以下步骤：氧化、多孔碳改性、原位聚合、炭化。所述原位聚合为：经氧化、多孔碳改性后得到的噻吩基硅烷改性多孔碳与噻吩单体进行共聚反应，使聚噻吩原位接枝在多孔碳的表面，形成多孔碳/聚噻...
该专利属于浙江格源新材料科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过浙江格源新材料科技有限公司授权不得商用。

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