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本发明公开了一种基于半悬浮桥制备平面约瑟夫森结的方法，属于电子芯片技术领域。本发明的方法包括选用蓝宝石衬底作为基片，并对蓝宝石表面进行预处理；采用直流磁控溅射在蓝宝石衬底上生长Nb薄膜；采用紫外光刻显影技术在蒸镀完的Nb薄膜上制备微米桥图形...
该专利属于南京大学所有，仅供学习研究参考，未经过南京大学授权不得商用。

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