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本发明公开了一种在稀磁半导体表面诱导自旋电流并探测其信号的方法及其应用，涉及光电探测领域，适用于具有较强自旋轨道耦合效应的稀磁半导体材料。方法为，在稀磁半导体材料表面沉积Pt金属层覆盖样品，并在Pt金属层表面沉积一对Ag电极，然后使用圆偏振...
该专利属于云南大学所有，仅供学习研究参考，未经过云南大学授权不得商用。

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