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本发明提供一种具有超结沟槽栅的MOSFET器件，包括在第一导电类型的衬底上外延形成的第二导电类型的外延层；在外延层表面形成的第二导电类型的体区；在体区顶部形成有栅沟槽，栅沟槽从外延层的上表面向下延伸穿过体区，在栅沟槽的底部形成有第一导电类型...
该专利属于华虹半导体（无锡）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过华虹半导体（无锡）有限公司授权不得商用。

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