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本发明涉及电力电子领域，具体是一种提高SiC MOSFET开关性能的有源栅极驱动电路及应用，包括从有源栅极电路的漏极引出的驱动电压调节闭环电路，在有源栅极电路上形成闭环搭建的栅极注入电路，以及由MOSFET漏极引出的退饱和电路与基于源极的电...
该专利属于杭州电子科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过杭州电子科技大学授权不得商用。

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