温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明提供一种平面型SGOI SiGe HBT器件及其制造方法，HBT器件可以用于与CMOS单极器件共同集成成为Bi‑CMOS器件。在典型的CMOS结构中，包括Si衬底、SiGe缓冲层、具有应变Si的N/P沟道结构和栅氧化层。为实现HBT和...
该专利属于苏科斯（江苏）半导体设备科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过苏科斯（江苏）半导体设备科技有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。