温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明公开了一种超级结MOSFET及其制造方法。该超级结MOSFET包括第一、第二沟槽，第一导电类型衬底、柱区和源区，第二导电类型阱区、柱区和辅助柱区。于第一沟槽中形成第一导电材料和第一介质，于第二沟槽中形成第二导电材料和第二介质，于第二沟...
该专利属于南京第三代半导体技术创新中心有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过南京第三代半导体技术创新中心有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。