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本发明公开了一种晶体硅太阳能电池，其结构依次为正面栅状金属电极２２、窗口层２３、第二导电类型重掺杂层２４、第一导电类型轻掺杂晶体硅衬底２６、背面电极２７，本发明通过设置所述的厚度足够“薄”和掺杂浓度足够“浓”的第二导电类型重掺杂层２４就能够...
该专利属于黄麟所有，仅供学习研究参考，未经过黄麟授权不得商用。

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