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本发明揭示一种栅极结构的制造方法。首先，提供一衬底，衬底上已形成栅极介电层，且栅极介电层上形成有至少一介电柱。然后，在衬底上方顺应性形成多晶硅层，覆盖住介电柱与栅极介电层。之后，进行一刻蚀工艺，移除部分的多晶硅层，以于介电柱的侧壁形成二个多...
该专利属于和舰科技（苏州）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过和舰科技（苏州）有限公司授权不得商用。

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